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产品型号：P-8505
更新时间：2024-07-09简要描述：nidec压力传感器P-8505适用介质不腐蚀SUS316L的气体/液体指导方法表压额定压力范围0-50、0-100、0-350、0-1000kPa电源1.5 mA DC（恒流）输出[量程电压]90±30mV线性/迟滞±0.3%FS, ±0.5%FS接头形状φ17.5mm
| 品牌 | 其他品牌 | 应用领域 | 环保,化工,能源,电子,综合 |
|---|
nidec压力传感器P-8505
nidec压力传感器P-8505
曝光 通过光照，只有光刻胶膜曝光的部分发生变化，转移到硅片表面。可以说，这个过程需要最细微的技术。然后将其浸入显影剂中，仅溶解硅晶片上的曝光区域。此时剩余的光刻胶膜即为9)的刻蚀掩模。
9）蚀刻
这是用溶液刮掉氧化膜和薄膜的工作。任何剩余的光刻胶都不会被刮掉。有两种类型的蚀刻：使用溶液的湿法蚀刻和使用气体的干法蚀刻。
10) 抗蚀剂剥离/清洁
剩余的光刻胶通过与化学品和气体的化学反应被剥离。如果您在最后进行清洁，您将拥有预期的电路。
11)
通过添加通过离子注入热处理激活的杂质离子，可以改变半导体的特性。
12) Silicon wafer smoothing
Silicon wafer本身可能因为涂了一层薄膜而有凹凸不平，所以要重新打磨。通过重复从 7)
-60
°C 的过程控制。（镜面型）露点仪
④ 过程和无尘室需要相对湿度水平控制的
⇒ 简单的 EE060
⑤ 需要大量水分并需要控制恒定水分的过程
⇒ 主要在高温和高湿度下测量 EE33 带防结露措施的温湿度计
氧气浓度测量
(1) 需要通过氢气置换
等去除氧气的工序⇒ 2001LC 原电池式氧气浓度
计，
可确认 1 ppm 以下。4100
| 适用介质 | 不腐蚀SUS316L的气体/液体 |
|---|---|
| 指导方法 | 表压 |
| 额定压力范围 | 0-50、0-100、0-350、0-1000kPa |
| 电源 | 1.5 mA DC（恒流） |
| 输出[量程电压] | 90±30mV |
线性/迟滞 | ±0.3%FS, ±0.5%FS |
| 接头形状 | φ17.5mm |
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