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德国FITOK原子层沉积隔膜阀ALD系列的介绍

更新时间:2024-08-22      浏览次数:138

德国FITOK原子层沉积隔膜阀ALD系列的介绍

半导体应用-FITOK ALD 系列原子层沉积隔膜阀

图一.jpg

简介

原子层沉积 (Atomic Layer Deposition) 是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。随着芯片节点尺寸的不断缩小,传统沉积技术已达到其极限,在纳米级上沉积超薄层需要原子层沉积 (ALD) 技术,该技术可使材料一次沉积一个原子层。FITOK ALD 系列原子层沉积隔膜阀可应用于原子层沉积工艺,在半导体芯片制造的沉积工艺中输送精确剂量的气体,以实现先进技术所需的均匀气体沉积。

特征

1.高速执行下超高循环寿命

2.响应速度快,可在低于 5 ms 内完成阀门开启和关闭

3.耐热型延长热应用场合的执行器寿命

4.全封闭阀座设计,具有优的越的抗膨胀和防污染能力

5.Elgiloy 合金隔膜提高强度和耐腐蚀,使用寿命长

6.高纯级 PFA 阀座,广泛的化学兼容性

7.极少产生颗粒和死区,易吹扫

8.提供带电感式传感器、电磁阀组件及加热棒和热电偶安装孔的阀门

技术参数

图二.jpg

应用

适用于以下半导体领域的原子层沉积 (ALD)工艺

1.晶体管栅极介电层(high-k)和金属栅电极(metal gate)

2.微电子机械系统(MEMS)

3.光电子材料和器件

4.集成电路互连线扩散阻挡层

5.平板显示器(有机光发射二极管材料,OLED)

6.光学元件

7.太阳能电池

8.各类薄膜(<100 nm)






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