ae-mic/AE-162D 用于超高速芯片电阻测试特征？

更新时间：2023-12-06

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AE-162D 用于超高速芯片电阻测试

非常适合 D、F、G、J、K 级、片式、MELF、

径向和轴向电阻器的分选机和编带机。

由于模拟部分与数字部分的隔离提高了抗噪性，因此稳定性高

兼容极小芯片（低功耗测量）

超高速0.7msec.（典型值）

热电动势抵消测量带来高精度和稳定性

通过每个量程的测量值积分时间设置功能，实现超高速和高稳定性测量。

%测量：±99.99% [5mΩ ~ 109MΩ]

绝对测量：0.00mΩ~200.00MΩ

接触检查：测量前/测量后/关闭可选

RS-232C接口标准设备（GP-IB可选）

打印机输出标准设备（Centronics兼容）

标准设置值传输功能：（相同的设置数据可以传输到另一台AE-162D以进行自动设置。）

标准配备测量电流/测量电压异常检查电路

测量范围和基本精度（环境温度23℃±5℃），校准后180天[校准后1年：1.5倍]

测量范围	标准值设定范围	测量电流	测量精度^*
测量范围	标准值设定范围	测量电流	慢的	快速地
100毫欧	5mΩ～100mΩ	100毫安	±0.02%±2a±2d以内	±0.03%±3a±2d±[2/(1+n)]d以内
1Ω	100.1mΩ～1Ω	100毫安	±0.02%±a±1d以内	±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以内
10Ω	1.001Ω～10Ω	50毫安	±0.02%±a±1d以内	±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以内
100Ω	10.01Ω～100Ω	10毫安	±0.02%±1d以内	±0.02%±2d±[1/(1+n)]d以内
1kΩ	100.1Ω～1kΩ	5毫安
10kΩ	1.001kΩ～10kΩ	0.5毫安
100kΩ	10.01kΩ～100kΩ	50μA
1兆欧	100.1kΩ～1MΩ	5μA		±0.05%±2d±[1/(1+n)]d以内
10兆欧	1.001MΩ～10MΩ	0.5μA	±0.03%±1d以内	±0.2%±4d±[1/(1+n)]d以内
100兆欧	10.01MΩ～109MΩ	0.05μA	±0.1%±2d以内	────

* d = 位数，n = 积分时间（毫秒），% 测量：α =（100/标准设定值 mΩ）x 0.01%，绝对值测量：α = 0（加上 ±1d） *
屏蔽时的完整精度

测量时间	外部启动		自由奔跑
	慢的	快速地	慢的	快速地
	约18毫秒～400毫秒	约0.7毫秒～400毫秒	约30次/秒～约2次/秒	约 60 次/秒至约 2 次/秒