micro-epsilon/高精度晶圆检测用白光干涉仪特征？

更新时间：2023-10-31

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干扰米 IMS5420-TH

高精度硅晶圆厚度测量

IMS5420是一种高性能白光干涉仪,用于单晶硅片的非接触厚度测量。该控制器有一个宽带超发光二极管(雪橇)的波长范围为1100纳米。这使得不掺杂、掺杂和高掺杂硅晶圆片的厚度测量仅有一个测量系统。IMS5420的信号稳定性小于1纳米。厚度可以测量在24毫米的距离

特征

不掺杂、掺杂和高掺杂晶圆的纳米精密厚度测量
多峰:获取最多5层,硅厚度0.05至1.05毫米
1纳米z轴的高分辨率
精密晶圆厚度测量
由于硅晶圆在1.100纳米波长范围内的光学透明度,使IMS5420干涉仪能够精确地检测到其厚度。在这个波长范围内,不掺杂硅和掺杂晶圆都提供了足够的透明度。因此,晶圆厚度可检测到1.05毫米以下。气隙的可测量厚度甚至高达4毫米.
IMS5420干涉仪能够测量不掺杂、掺杂和高掺杂硅晶圆片的厚度,因此提供了广泛的应用。该晶圆厚度测量系统是一种理想的单晶硅晶圆片的测量,其几何厚度为500~1050公分米,掺杂量最高可达6米。即使是高掺杂的晶圆,厚度也可测量到0.8毫米。这是因为越来越多的导致透明度下降。
压痕过程中的精确厚度测量
在晶圆制造中,晶硅锭被切成大约1毫米的薄片。然后,将光盘磨碎,并将其折叠,以获得所需的厚度和表面光洁度。为了实现高的工艺稳定性,干涉仪被用来在磨床和研磨机中进行内线厚度测量。由于设计紧凑,传感器也可以集成在受限的安装空间中.厚度值用于机器控制和晶圆的质量控制。

模型	测量范围/ 测量范围的开始	线性	可测量层数	应用领域
IMS5420-TH24	0.05 ... 1.05 mm (for silicon, n=3.82) 0.2...4毫米(空气,n=1)/约24毫米,工作范围约为24毫米。6毫米	< ±100 nm	1层	内联厚度测量,例如。磨后或抛光后。
IMS5420MP-TH24		单层的≪100纳米用于额外层的	多达5层	内联厚度测量,例如。用于涂层后涂层厚度的质量控制
IMS5420/IP67-TH24		< ±100 nm	1层	工业线厚度的测量

现代接口,用于集成到机器和系统
该控制器提供诸如以太网、以太猫和RS422等集成接口,以及额外的编码器连接、模拟输出、同步输入和数字I/OS。当你使用微型EPELIN的接口模块时,就可以使用普罗菲内特和醚头。这使干涉仪能够被整合到所有的控制系统和生产程序中

精密晶圆厚度测量